ОАО "ЦКБ "Ритм"

ВНИМАНИЮ РАЗРАБОТЧИКОВ

ОПТОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ!!!

• Разработана новейшая технология получения полупроводниковых фоточувствительных халькогенидных пленок (PbS и PbSe). На базе этой технологии предлагается разработка и изготовление в кратчайшие сроки вы-сококачественных фотоприемников (ФП) и фотоприемных устройств (ФПУ), работающих в области спектра (1 - 5) мкм.
• Конструктивное разнообразие, высокие параметры и относительная дешевизна разработанных приборов обеспечивают их широкое применение в устройствах и системах для:

- дистанционного измерения температуры в пределах (300 - 2000) °К;

- датчиков пламени в системах пожарной сигнализации;

- контроля теплового состояния и прогнозирования аварийных ситуаций в хранилищах сыпучих и других, в т. ч. самовозгорающихся материалов (уголь, зерно, хлопок, древесные опилки идр.);

- контроля состояния огнеупорных стенок, диагностики нарушений в системе охлаждения и прогнозирования аварийных ситуаций доменных печей, конвертеров и других объектов металлургического производства;

- систем термодиагностики в медицине;

- космических исследваний;

- теплового контроля качества сборки изделий электроники;

- контроля тепловых режимов оборудования ТЭЦ и АЭС, парогенераторов, химического оборудования и других энергонасыщенных и пожароопасных технических объектов.

• Наши приборы отличаются:

- высокими значениями обнаружительной способности и вольтовой чувствительности;

- применением (при необходимости) встроенных термоэлектрических охладителей (ТЭО), по характеристикам не уступающим зарубежным образцам;

- повышенной оптической помехозащищенностью благодаря применению интерференционных и полупроводниковых отрезающих светофильтров (λ_гр = (1 - 4) мкм);

- повышенной электрической помехозащищенностью благодаря экранирующему действию металлического корпуса и наличию в ФПУ встроенных малошумящих предварительных усилителей, выполненных по гибриднопленочной технологии;

- чрезвычайно низким разбросом фотоэлектрических параметров (ФЭП) на многоэлементных структурах (коэффициент вариации ω ≤ 0,1 - 0.2 на 128 - элементной структуре);

- прочным кабелем, выдерживающим до сорока тысяч изгибов;

- конструктивным разнообразием и относительной дешевизной при высоком уровне качества.

• За тридцать лет выпуска тысячи наших изделий нашли применение в пирометрах, датчиках пламени в системах пожарной сигнализации, системах автоматического контроля режима работы газовых котлов и т. д. Одно и 128-элементные ФПУ с предельными параметрами используются в космических ИК - спектрометрах, устанавливаемых на межпланетных космических станциях, в частности, на станциях «Марс-96» и «Марс-Экспресс».

Эффективность и качество наших изделий сторицей окупят ваши затраты!!!

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

• Основные фотоэлектрические параметры большинства ФП и ФПУ нашего производства находятся на уровне или превосходят значения, декларируемые в каталогах ведущих зарубежных фирм, производящих аналогичную продукцию.
• Размеры фоточувствительного элемента (ФЧЭ) ФП (ФПУ), мм – 0,1 - 10.
• Основные фотоэлектрические параметры и характеристики приведены в таблице

• Возможна оптимизация комплекса параметров D^*_λmax , S_v, τ, λ_max под конкретную задачу за счет технологических возможностей по управлению процессами формирования фоточувствительных слоев. Высокий уровень наших разработок подтвержден измерениями ведущих фирм СНГ (НИИ ПФ (г. Москва), ГОИ им. Вавилова (г. Санкт-Петербург), УПИ (г. Екатеринбург)) и зарубежных фирм (Elektronica, Италия; Graseby Infrared, USA).

ПО ЖЕЛАНИЮ ЗАКАЗЧИКА ВОЗМОЖНО

• изготовить отдельные партии приборов по техническому заданию заказчика в срок 1 - 6 месяцев;
• провести НИР или ОКР по разработке приборов по полной программе с выпуском ТУ и последующим серийным изготовлением. Срок – 1 - 2 года;
• быстро разработать и выпускать аналоги ИК-фотоприемников, выпускаемых Россией и западными фирмами (типа ФСА - любых; ФР1-3, ФР1-4, ФР-СС-138; ФСВ-16, ФСВ-17, ФСВ-18, ФСВ-19; СФ4 - любых; ФУО-611, ФУО-612, ФУО-613, ФУО-614; ФУЛ-611 и др.);
• изготовить на спектральный диапазон (1 - 5) мкм ФП и ФПУ различного конструктивного и схемотехнического исполнения с количеством фоточувствительных элементов от 1 до 128 на одной подложке.быстро разработать и выпускать аналоги ИК-фотоприемников, выпуска-емых Россией и западными фирмами (типа ФСА - любых; ФР1-3, ФР1-4, ФР-СС-138; ФСВ-16, ФСВ-17, ФСВ-18, ФСВ-19; СФ4 - любых; ФУО-611, ФУО-612, ФУО-613, ФУО-614; ФУЛ-611 и др.);

РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

  Регистрация оптического излучения фоторезистором на основе халькогенидов свинца основана на изменении электропроводимости материала при воздействии оптического излучения.

  Для регистрации изменения фотопроводимости приемника его включают в цепь, состоящую из источника напряжения постоянного тока и нагрузочного резистора, при этом фотосигнал проявляется как изменение напряжения на нагрузочном резисторе. Для непосредственного применения этот фотосигнал в большинстве случаев не пригоден изза его малого значения.

  Сигнал необходимо усилить, обеспечив при этом максимальное соотношение сигнал/шум, чего можно достичь выполнив следующие рекомендации:

  -сопротивление резистора нагрузки должно быть равно темновому сопротивлению фоторезистора;

  -полоса пропускания регистрирующего электронного тракта должна быть минимально необходимой;

  -напряжение шума регистрирующего электронного тракта должно быть меньше напряжения шума фоторезистора не менее чем в три раза;

  -фотоприемник и электронный тракт должны максимально защищены от воздействия оптических и электрических помех.

  Схема на рис. 1 оптимальна для работы в аппаратуре с однополярным питанием и позволяет обеспечивать высокий коэффициент усиления напряжения фотосигнала.

  Схема хороша тем, что в выходном сигнале присутствует информация о величине постоянного напряжения в точке соединения ФР и резистора нагруз-ки. Эта информация может быть ис пользована при термостабилизации устройства для выявления сигнала ошибки.

   Схема А включения ФР в аппаратуре с однополярным питанием.

   При таком включении ФР напряжение выходного сигнала определяется по формуле 1.

   V_c = Ф·S_v(R2/R3 + 1),      (1)

где Ф – поток излучения;

S_v – вольтовая чувствительность.

  При этом частота f = 2πR3·C.

  Схема на рис. 2 предпочтительна для применения в аппаратуре с двухпо-лярным питанием.

  Наличие разделительного конденсатора позволяет исключить влияние температурного дрейфа ФР и постоянного фонового излучения на режим работы усилителя.

   Схема B включения ФР в аппаратуре с однополярным питанием.

   При таком включении ФР напряжение выходного сигнала определяется по формуле 2.

   V_c = Ф·S_v(R4/R3 + 1),      (2)

  При этом частота f = 2πR2·C.

  Схемы на рис. 3 предпочтительны для аппаратуры с двухполярным питанием, работающей вузком диапазоне рабочих температур окружающей срeды.

  Рис. 3. Схемы C и D включения ФР в аппаратуре, работающей в узком диапазоне температур.

  Основные их преимущества состоят в минимуме применяемых комплек-тующих и возможности работы с ФР, удаленным от усилителя, при высоких частотах модуляции оптического излучения.

  При этих таких способах включения необходимо выполнять условие E <U_вых.max·R_f/R.

  По своим характеристикам схемы включения ФР А - D идентичны.

ВНИМАНИЕ!

  При разработке схем устройств с применением фоторезисторов на основе халькогенидов свинца учитывайте, что из - за высокого сопротивления цепи (RФ + R1) помехи и наводки могут проникать на вход усилителя по цепи питания Е. Поэтому предусмотрите в этой цепи простой RC-фильтр и разместите его вблизи фотоприемника.